در معادلات فوق، نشان دهنده مقاومت پوستی[۷۱]، مقاومت مستقیم، عمق اثر پوستی[۷۲]، فرکانس بر حسب هرتز، نفوذپذیری مغناطیسی هادی مورد استفاده در سیمپیچ، هدایت پذیری هادی[۷۳] و قطر معادل برای هادی با سطح مقطع مستطیلی میباشد که در معادله (۳‑۱۰) برای تقریب هادی با سطح مقطع مستطیلی با یک هادی با سطح مقطع دایره به کار میرود.
( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )
اثر مجاورت هم بر اثر جریانهای گردابی ایجاد شده در درون هادی بر اثر عبور جریان و ایجاد میدان در هادیهای دیگر میباشد. با در نظر گرفتن شرایطی مشابه با اثر پوستی، معادله (۳‑۱۲) یک تقریب برای اثر مجاورت بیان می کند.
(۳‑۱۲)
که اثر مجاورت را برای لایه mام بدست می آورد.
شکل ۳‑۷: مقاومت کل متغیر با فرکانس سیمپیچ فشارقوی
در نتیجه مقاومت کل که وابسته به فرکانس میباشد طبق معادله (۳‑۱۳) محاسبه میگردد که در شکل ۳‑۷ مقاومت کل برای یک سیمپیچ نمونه به نمایش درآمده است.
(۳‑۱۳)
خازن
به دلیل پیچیده بودن ساختار ترانسفورماتور و سیمپیچها، ظرفیتهای خازنی مختلفی بین بخشهای آن وجود خواهد داشت. شکل ۳‑۸ برش ترانسفورماتور از بالا را نشان میدهد که در این شکل انواع ظرفیتهای خازنی بین بخشهای مختلف نشان داده شده است.
شکل ۳‑۸: برش از بالا- نحوه قرارگیری سیم پیچ ها و تانک ترانسفورماتور
در تعیین ظرفیتهای خازنی، سیستم عایقی نقش بسیار مهمی را ایفا می کند. سیستم عایقی ترانسفورماتور قدرت معمولا از ترکیب کاغذ و پرسبورد[۷۴] سلولزی که در روغن معدنی غوطهور[۷۵] هستند، تشکیل شده است.
ظرفیت خازنی بین سیمپیچهای فشارقوی و فشار ضعیف
ظرفیت خازنی بین دو سیمپیچ فشارقوی و فشارضعیف با توجه به ساختار استوانهای آنها، از معادلات حاکم بر ظرفیت خازنی استوانهای یعنی معادله (۳‑۱۴) استفاده میگردد که در شکل ۳‑۹ نشان داده شده است.
()
شکل ۳‑۹: خازن استوانهای
(۳‑۱۴)
که در این رابطه، برای جبران کردن اثر لبهها در دو انتهای سیمپیچها(غیر یکنواختی میدان الکتریکی در دو انتهای سیمپیچها)، قطر داخلی سیمپیچ بیرونی، قطر بیرونی سیمپیچ داخلی و فاصله هوایی بین سیمپیچها میباشد.
در معادله (۳‑۱۴)، ضریبگذردهی الکتریکی[۷۶] محیط بوده که در این محیط از مواد عایقی مختلفی با ضرایب گذردهی الکتریکی متفاوت استفاده شده که باید به یک ضریب گذردهی معادل برای این مجموعه دست پیدا کرد. در مراجع [۱۰, ۵۳] روشی برای یافتن ضریب گذردهی الکتریکی معادل در یک محیط چندگانه ارائه شده است. شکل ۳‑۱۰ نمایی از سیستم عایقی مزبور را نشان میدهد.
شکل ۳‑۱۰: سیستم عایقی بین سیم پیچ فشارقوی و فشارضعیف
همانطور که از شکل فوق پیداست، سیستم عایقی بین دو سیمپیچ فشارقوی و فشارضعیف شامل سد[۷۷]، اسپیسر[۷۸] و روغن معدنی میباشد. با این روش مطرح شده، سیستم عایقی در شکل فوق به سیستم عایقی با مشخصات زیر تبدیل خواهد شد.
شکل ۳‑۱۱: مدل ساده شده سیستم عایقی
با توجه به شکل شکل ۳‑۱۱، گذردهی موثر[۷۹] از رابطه (۳‑۱۵) محاسبه میگردد.
(۳‑۱۵)
فرم در حال بارگذاری ...
